三靶磁控溅射首要使用

　　三靶磁控溅射是一种用于材料科学领域的工艺实验仪器，于2019年1月1日启用。

技术指标

　　样品能加热到600℃，控制精度不大于±1℃；射频电源频率13.56MHZ，功率0-600W可调，功率不稳定度≤2W，主动匹配调度，装备主动匹配器，匹配时刻精度不大于5秒。高功用真空系统，极限真空6×10-5Pa；堆积200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9个点进行测验。薄膜厚度不均匀性≤±5%，边际去除5mm。

首要功用

　　三靶磁控溅射可运用单/双/三靶对同一基片进行磁控溅射镀膜实验，装备加热系统可以将抽真空速度加速，本底真空降低；可运用双/三靶溅射制备掺杂薄膜，较非掺杂薄膜性质变多，功用不同，更利于发现新功用、高功用薄膜。设备主动化程度较高，开/关机装备一键发起/关闭功用，便当操作。

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